在英伟达公司主办的年度技术大会上，三星电子公司发布了其第七代高带宽内存（HBM），即HBM4E。英伟达在会上强调了其与这家韩国芯片制造商在内存芯片之外不断扩大的合作关系。

　　在周一（美国时间）于加州开幕的英伟达GTC 2026 大会上，三星电子展示了其HBM4E产品的最新进展，并展示了其作为英伟达Vera Rubin AI平台整体内存解决方案提供商的能力。

　　这是三星电子首次公开展示实体HBM4E芯片，预计其单引脚传输速度可达16Gbps，带宽为4.0TB/x。

　　这一性能较HBM4有所提升，后者单引脚传输速度为13Gbps，带宽为3.3TB/s。

　　在主题演讲中，英伟达CEO黄仁勋对三星电子生产Groq 3语言处理单元（LPU）表示感谢，该单元将用于英伟达的AI平台，以提升其性能。

　　“我要感谢三星，他们为我们生产 Groq 3 LPU 芯片，他们正在全力以赴。我真的很感谢你们，”黄仁勋说道，并确认该芯片是由三星电子的代工部门生产的。

　　黄仁勋的这番话表明，三星电子和英伟达已将人工智能领域的合作拓展至芯片代工业务。

　　上个月，三星电子开始批量出货第六代HBM芯片，即HBM4，该芯片专为英伟达的Vera Rubin平台设计，三星称其可为人工智能计算提供“极致性能”。

　　三星电子还推出了混合铜键合（HCB）技术，该技术能够堆叠超过16层铜箔，同时与热压键合（TCB）相比，热阻降低20%，凸显了其在下一代HBM封装方面的实力。

　　这家韩国科技巨头表示：“为了推动人工智能行业的创新，强大的AI系统，例如Vera Rubin平台，至关重要。”

　　三星电子补充道：“公司计划继续为 Vera Rubin 平台提供支持的高性能内存解决方案。”

　　三星还表示，两家公司希望借助这种合作关系，引领全球人工智能基础设施范式的转型。

　　在这次活动期间，三星电子设立了一个展位，展位分为三个区域——人工智能工厂、本地人工智能和物理人工智能——展示了该公司满足人工智能行业需求的下一代芯片。